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Modeling charge transfer at organic donor-acceptor semiconductor interfaces

机译:模拟有机供体-受体半导体界面上的电荷转移

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摘要

We develop an integer charge transfer model for the potential steps observed at interfaces between donor and acceptor molecular semiconductors. The potential step can be expressed as the difference between the Fermi energy pinning levels of electrons on the acceptor material and holes on the donor material, as determined from metal-organic semiconductor contacts. These pinning levels can be obtained from simple density functional theory calculations.
机译:我们为在供体和受体分子半导体之间的界面处观察到的潜在步骤开发了一个整数电荷转移模型。电位阶跃可表示为受主材料上的电子与供体材料上的空穴的费米能量钉扎能级之间的差异,这是由金属有机半导体接触确定的。这些固定级别可以从简单的密度泛函理论计算中获得。

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